NTR1P02LT1G
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | NTR1P02LT1G |
---|---|
Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $0.48 |
10+ | $0.36 |
100+ | $0.2036 |
500+ | $0.1348 |
1000+ | $0.1034 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±12V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-23-3 (TO-236) |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 750mA, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 400mW (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 225 pF @ 5 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5 nC @ 4 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.3A (Ta) |
Grundproduktnummer | NTR1P02 |
NTR1P02LT1G Einzelheiten PDF [English] | NTR1P02LT1G PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() NTR1P02LT1Gonsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|